等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，利用強(qiáng)電場使所需的氣體源分子電離產(chǎn)生等離子體，等離子體中含有很多活性很高的化學(xué)基團(tuán)，這些基團(tuán)經(jīng)過經(jīng)一系列化學(xué)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。用于沉積SiO2, SiN 等絕緣體薄膜材料，沉積的薄膜具有均勻性好、精度高、抗應(yīng)力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

主要技術(shù)指標(biāo)：

基片尺寸：

6"及以下wafer、chip；

沉積均勻性：

±3%（6"wafer）；

膜厚精度：1nm；