儀器簡介

美國進(jìn)口Kurt Lesker Lab-line磁控濺射設(shè)備，單步工藝可連續(xù)蒸鍍3種金屬及氧化物材料，DC及RF模式可選。

性能指標(biāo)

腔體本底壓力可達(dá)2E-8 Torr，蒸發(fā)速率0.1A/s～10A/s；膜厚均勻性±2%。可根據(jù)不同材料特性要求做調(diào)整。可以使用特殊夾具作業(yè)非標(biāo)準(zhǔn)尺寸的加工基片。

應(yīng)用范圍

可用于Pt、Au、Ti、Cr、Al、Ag、Ni、Ge、W等多種金屬鍍膜，也可用于SIO2、ITO等氧化物及金屬氧化物半導(dǎo)體材料的沉積，具有沉積材料致密性強(qiáng)、膜厚控制精度高的優(yōu)點(diǎn)。

工藝圖：

4寸硅片濺射石墨

樹脂材料濺射鎳

玻璃片金屬電極

特殊材料鍍銀顆粒

硅片基底金屬電極