儀器簡(jiǎn)介

光刻機(jī)/紫外曝光機(jī) (UV Aligner)。本機(jī)型為接觸、接近式光刻機(jī)，可雙面對(duì)準(zhǔn)曝光。

性能指標(biāo)

光刻參數(shù)：

襯底尺寸：5mm*5mm～ 100mm*100mm chip ；Φ2"～Φ6" wafer；

掩膜版尺寸：2.5"～7"

對(duì)準(zhǔn)精度：± 0.5μm

分辨率：0.6μm

應(yīng)用范圍

可應(yīng)用于MEMS器件、薄膜晶體管、紅外傳感器、激光器等半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)及生產(chǎn)。適用于Si、GaN、GaAs、InGaAs、InP、石英片、藍(lán)寶石片等多種襯底材料，適合碎片、圓片等不同基片尺寸。

工藝圖：