Si片上形成具有垂直側壁的高深寬比溝槽結構是制備先進MEMS器件的關鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴格。深硅刻蝕工藝即為BOSCH工藝，刻蝕過程中，被刻蝕部分的聚合物保護層會完全除掉。除掉底部保護層后，對保護層下的硅材料進行刻蝕，而側壁的保護層由于離子刻蝕的方向性，刻蝕速度低而不會被去除。隨后重復鈍化步驟，導致刻蝕持續在垂直方向進行。